Yutaka Nagata, Tetsuo Harada, Takeo Watanabe, Hiroo Kinoshita, Katsumi Midorikawa. 2019: 波长相干散射显微镜高次谐波下EUV掩模检测技术. 极端制造, 1(3): 032001. DOI: 10.1088/2631-7990/ab3b4e
引用本文: Yutaka Nagata, Tetsuo Harada, Takeo Watanabe, Hiroo Kinoshita, Katsumi Midorikawa. 2019: 波长相干散射显微镜高次谐波下EUV掩模检测技术. 极端制造, 1(3): 032001. DOI: 10.1088/2631-7990/ab3b4e
Nagata Y, Harada T, Watanabe T, Kinoshita H, Midorikawa K. At wavelength coherent scatterometry microscope using high-order harmonics for EUV mask inspection. Int. J. Extrem. Manuf. 1, 032001 (2019).. doi: 10.1088/2631-7990/ab3b4e
Citation: Nagata Y, Harada T, Watanabe T, Kinoshita H, Midorikawa K. At wavelength coherent scatterometry microscope using high-order harmonics for EUV mask inspection. Int. J. Extrem. Manuf. 1, 032001 (2019).. doi: 10.1088/2631-7990/ab3b4e

波长相干散射显微镜高次谐波下EUV掩模检测技术

  • 摘要:

    极紫外(EUV)光刻掩模技术正在不断改进,以用于7nm或更小尺寸芯片的大批量制造。EUV扫描仪可替代最关键层,并提供与氟化氩(ArF)光刻技术互补的光刻能力。然而,无缺陷掩模的制造和检测仍然是EUV光刻技术所面临的关键问题之一。本文综述了基于高次谐波(HHG)的13.5nm相干散射显微镜(CMS)在EUV光刻技术掩模检测中应用的研究进展。利用高次谐波相干散射显微镜(HHG-CSM)系统,我们观察到周期性图形掩模中程序化图形缺陷。在EUV掩模的衍射图中,检测到88nm光栅中存在2nm宽的线缺陷以及在112nm孔栅中有小于100nm的吸收缺陷。通过进一步改进系统,我们成功重建了88nm周期性光栅图形和具有定量相位对比的交叉图案。这些结果表明,单独的HHG-CSM系统具有巨大的潜力。

     

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