用于三维集成半导体制造中埃米尺度精度的原子层加工

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随着半导体技术节点持续缩小，技术发展日益与单纯的尺寸缩小脱钩，转向新型器件架构、既有工艺范式的迁移，以及对前所未有的工艺精度的要求，关键功能层对膜厚、材料和界面的原子级与亚纳米级控制提出了更高要求。本文介绍了原子层加工（ALP）这一融合原子层沉积、原子层刻蚀和区域选择性沉积的统一框架，总结了其基于自限制表面反应实现原子级厚度、组分和选择性控制的技术优势，以及其在复杂三维结构无空洞薄膜形成、高精度选择性图形化和材料与界面原子尺度调控中的应用。进一步梳理了ALP通过沉积、刻蚀与选择性的一体化，为突破传统几何和材料缩放限制提供的工艺路径，并阐述其向原子级精密制造范式转变的潜力。