摘要:

极紫外（EUV）光刻掩模技术正在不断改进，以用于7nm或更小尺寸芯片的大批量制造。EUV扫描仪可替代最关键层，并提供与氟化氩（ArF）光刻技术互补的光刻能力。然而，无缺陷掩模的制造和检测仍然是EUV光刻技术所面临的关键问题之一。本文综述了基于高次谐波（HHG）的13.5nm相干散射显微镜（CMS）在EUV光刻技术掩模检测中应用的研究进展。利用高次谐波相干散射显微镜（HHG-CSM）系统，我们观察到周期性图形掩模中程序化图形缺陷。在EUV掩模的衍射图中，检测到88nm光栅中存在2nm宽的线缺陷以及在112nm孔栅中有小于100nm的吸收缺陷。通过进一步改进系统，我们成功重建了88nm周期性光栅图形和具有定量相位对比的交叉图案。这些结果表明，单独的HHG-CSM系统具有巨大的潜力。