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1. 文章导读本文提出了一种面向第四代半导体β-Ga2O3原子级抛光的高效大气等离子体刻蚀方法，揭示了温度调控下台阶端部原子与台阶面内原子的蚀刻速率差异。实验表明，该方法可在120 s内将Sa表面粗糙度从14.8 nm降至0.057 nm，材料去除速率达20.96 μm/min，远超传统化学机械抛光。本文还探讨了等离子体抛光过程中化学刻蚀与物理重构的竞争机制以及大尺寸晶圆加工尚存在的问题，为未来基于等离子体的原子级表面制造技术提供了指导。
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