用于坚固多功能忆阻器件的有机N-熔融苝二酰亚胺-MXene杂化材料的制备
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1. 文章导读
本文通过有机半导体CBIN对2D Ti3C2Tx MXene纳米片进行表面改性，成功实现了双极忆阻特性，显著提升了其在忆阻器中的应用。中期测试过程中，器件低阈值电压低于±1.4 V，保留时间高于104 s，在紫外线和X射线照射下具有良好的环境稳定性。该器件具有突触可塑性，可用于基于卷积神经网络（CNN）的数字图像识别，具有97.18%的准确率。
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