通过选择性表面活化增强非氧化物界面Co/SiO2混合键合
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1. 文章导读
本文提出一种Ar/NH3/H2O三元等离子体低温键合方法，在200℃下实现高效的Co/SiO2混合键合。通过选择性活化Co与SiO2表面，避免Co氧化并提升SiO2亲水性，形成无氧化金属键合与介质材料共价键合混合键合界面。键合后，Co-Co界面电阻率降低超40%，界面致密且机械强度显著增强。该方法无需高压/高温条件，避免材料热膨胀失配限制，为超高密度3D集成提供新方法，对先进封装与纳米器件制造具有重要价值。
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