综述 ● 开放获取阅读更多
1.文章导读
本文介绍了二维材料在忆阻器中的应用进展，聚焦其快速开关、低功耗和栅极可调等优势，并强调了可扩展合成与低温CMOS集成的重要性。本文首先介绍了基于传统材料制备的忆阻器的电学特性与阻变机制；同时介绍了典型的溶液剥离与成膜技术，并重点阐述了相较于机械剥离法、化学气相沉积法等传统方法，这些技术在获取可规模化二维材料薄膜方面的优势。最后，文章探讨了溶液法制备的二维材料忆阻器的电学特性、阻变机制及应用场景，并分析了该类器件的优势与当前面临的挑战。
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