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通过可编程局部纳米应变工程增强WSe2/MoS2异质结光电器件的光响应
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摘要:
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本文介绍了一种通过热机械纳米压痕技术在二维材料WSe2/MoS2异质结中精确调节局部纳米应变的方法。利用加热的原子力显微镜纳米针尖，在转移到柔性PMMA衬底上的异质结中诱导应变，进而调节带隙。通过改变压痕参数，可实现对局部应变的调控（~2.5%），显著影响带隙调制。局部应变有效提高了光电探测器的光响应速度。在405 nm激光照射下，上升和下降时间分别减少了75%和87.52%。通过拉曼光谱和光致发光光谱表征，进一步验证了热机械纳米压痕技术对带隙调节的有效性。
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